PUZHE蒲柘 P-MD 等离子去胶机
去胶工艺是微加工过程中一个重要的过程,在电子束曝光,紫外曝光等微纳米加工工艺后,都要对光刻胶进行去除或打底膜处理。光刻胶是否去除干净对样片是否有损伤等问题,将直接影响后续工艺的顺利完成。P-MD使用性能出色的组件和软件,可对工艺参数进行精确控制。它的工艺监测和数据采集软件可实现严格的质量控制。该技术已经成功的应用于功率晶体管、模拟器件、传感器、光学器件、光电、EMS/MOEMS、生物器件、LED等领域。
P-MD参数(标准配置)
外部尺寸
641*533*451mm
真空腔尺寸
直径210mm*230mm
不锈钢腔体
电极尺寸
125*125mm 间距20-75mm可调
二个多控自适应平板电极
等离子体发生器
RF射频发生器,频率:13.56MHz
自适应阻抗匹配电源
功率
0-200W连续可调
精度1W
工艺气体要求
1/4英寸卡套接口/15-30psig
工艺气体种类
CF4=99.97%; O2=99.996%;N2=99.99%
AR=99.999% 其它气体咨询
气体控制
2路针式气体流量阀
0-300ml
控制方式
4.3寸触摸屏
界面显示实时工作状态
保护装置
一键急停保护按钮
电话:0755-83512170;手机:13249819590;QQ:2577758288;邮箱:2577758288@qq.com